دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
چکیده
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. در این مدار با استفاده از تکنیک‌های خازن دیژنراسیون و شبکه تطبیق مداری طراحی شده است که دارای پهنای باند GHz 20 و بهره امپدانس انتقالی dBΩ 60 و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، pA/sqrtHz 12 در باند فرکانسی تقویتکننده است. همچنین عملکرد مدار، شامل بهره امپدانس انتقالی و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، پس از طراحی جانمایی، با شبیه‌سازی همراه با نظر گرفتن اثر خازن‌های پارازیتی تأیید شد.
امیری, پرویز, صیفوری, محمود, آفرین, بابک, & هدایتی‌پور, آوا. (1395). طراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60. مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 46(2), 15-23.
MLA
پرویز امیری; محمود صیفوری; بابک آفرین; آوا هدایتی‌پور. "طراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60". مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 46, 2, 1395, 15-23.
HARVARD
امیری, پرویز, صیفوری, محمود, آفرین, بابک, هدایتی‌پور, آوا. (1395). 'طراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60', مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 46(2), pp. 15-23.
VANCOUVER
امیری, پرویز, صیفوری, محمود, آفرین, بابک, هدایتی‌پور, آوا. طراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60. مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 1395; 46(2): 15-23.
)