TY - JOUR ID - 8166 TI - ارائه ساختاری جدید از ترانزیستورهای اثرمیدان در مقیاس نانو به‌منظور بالابردن قابلیت اطمینان JO - مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز JA - TJEE LA - fa SN - 2008-7799 AU - مهراد, مهسا AU - زارعی, میثم AD - دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه دامغان Y1 - 2018 PY - 2018 VL - 48 IS - 3 SP - 1399 EP - 1404 KW - ترانزیستورهای اثرمیدان فلز-اکسید- نیمه‌هادی (ماسفت) KW - تکنولوژی سیلیسیم روی عایق KW - اثر بدنه شناور KW - دمای شبکه KW - میدان الکتریکی DO - N2 - ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفون در نظر گرفته می‌شوند. نواحی نوع N در کانال یک ناحیه تخلیه ایجاد می‌کنند که قابلیت جریان‌دهی ترانزیستور را افزایش می‌دهند. علاوه بر این، اکثر حفره‌های ایجادشده توسط اثر بدنه شناور، توسط این نواحی تخلیه می‌گردند. نواحی نوع P در اکسید مدفون کمک به کاهش دمای شبکه می‌کنند و راهی برای عبور گرما از قسمت فعال ترانزیستور به زیرلایه ایجاد می‌کنند. عملکرد ساختار پیشنهادی و ساختار ماسفت مرسوم توسط نرم‌افزار ATLAS شبیه‌سازی می‌شوند و نشان داده می‌شود که ترانزیستور پیشنهادی دارای عملکرد بهتری نسبت به ساختار متداول از نظر قابلیت جریان‌دهی، ماکزیمم دمای الکترون در کانال، میدان الکتریکی، جریان حالت خاموش، دمای شبکه و قابلیت تحرک الکترون می‌باشد. در کنار مزایای ذکرشده، جایگزینی بخشی از اکسید مدفون با سیلیسیم موجب افزایش خازن پارازیتی می‌گردد. UR - https://tjee.tabrizu.ac.ir/article_8166.html L1 - https://tjee.tabrizu.ac.ir/article_8166_33707cbad7ebdbb5b60ba22383f7ced2.pdf ER -